LPCVD （ Low Pressure Chemical Vapor Deposition ），低壓化學(xué)氣相沉積。在芯片制造中，低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）廣泛應(yīng)用于創(chuàng)建各種薄膜，這些薄膜有不同的用途。LPCVD可以用來沉積氧化硅和氮化硅；也可以用來制造摻雜薄膜，以改變硅的導(dǎo)電性。
為什么使用低壓條件：壓力越低，Wafer內(nèi)的uniformity越好。因為壓力高的條件下，反應(yīng)氣體在wafer中間部位不容易擴散，壓力低的條件下反應(yīng)氣體能足夠的自由移動擴散。
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LPCVD沉積原理：
1.反應(yīng)氣體流入：使反應(yīng)氣體流入Tube，此時Tube內(nèi)部應(yīng)該是反應(yīng)所需的低壓狀態(tài)，通常為0.25-1Torr；
2.反應(yīng)物在表面?zhèn)魉停涸诘蛪籂顟B(tài)下，反應(yīng)物可以在Wafer表面自由移動；
3.反應(yīng)物在基板表面附著；
4.反應(yīng)物受熱在Wafer表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)得到生成物；
5.反應(yīng)生成物以外的氣體從表面脫離排走；
6反應(yīng)生成物在表面累積形成film。
1.反應(yīng)氣體流入：使反應(yīng)氣體流入Tube，此時Tube內(nèi)部應(yīng)該是反應(yīng)所需的低壓狀態(tài)，通常為0.25-1Torr；
2.反應(yīng)物在表面?zhèn)魉停涸诘蛪籂顟B(tài)下，反應(yīng)物可以在Wafer表面自由移動；
3.反應(yīng)物在基板表面附著；
4.反應(yīng)物受熱在Wafer表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)得到生成物；
5.反應(yīng)生成物以外的氣體從表面脫離排走；
6反應(yīng)生成物在表面累積形成film。
LPCVD機臺分為立式與臥式。立式和臥式LPCVD是根據(jù)爐膛的方向或者稱之為基片的放置方向而命名的兩種常見的低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）系統(tǒng)。這兩種系統(tǒng)的主要區(qū)別在于基板的放置方式和氣體的流動方式。在整個 20 世紀后期，許多 LPCVD 工藝都是在臥式熱壁管式反應(yīng)器中進行的，現(xiàn)在主要是立式爐。
臥式LPCVD機臺
立式LPCVD機臺
拉普拉斯半導(dǎo)體LPCVD系列機臺
為什么使用低壓條件：壓力越低，Wafer內(nèi)的uniformity越好。因為壓力高的條件下，反應(yīng)氣體在wafer中間部位不容易擴散，壓力低的條件下反應(yīng)氣體能足夠的自由移動擴散。
